Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31420| Nhan đề: | Fundamentals and Recent Advances in Epitaxial Graphene on SiC |
| Tác giả: | Yakimova, Rositsa (Eds.) Shtepliuk, Ivan (Ed.) |
| Từ khoá: | Epitaxial graphene Thermal decomposition Buffer layer Intercalation Step bunching CVD growth Theoretical simulation RF devices and modules |
| Năm xuất bản: | 2021 |
| Nhà xuất bản: | MDPI |
| Tóm tắt: | The aim of this Special Issue is to provide a scientific platform for recognized experts in the field of epitaxial graphene on SiC to present their recent studies towards a deeper comprehension of growth mechanisms, property engineering and device processing. This Special Issue gives readers the possibility to gain new insights into the nature of buffer layer formation, control of electronic properties of graphene and usage of epitaxial graphene as a substrate for deposition of different substances, including metals and insulators. We believe that the papers published within the current Special Issue develop cumulative knowledge on matters related to device-quality epaxial graphene on SiC, bringing this material closer to realistic practical applications. |
| Mô tả: | vii, 130p.: ill, some colour; 11.5 MB |
| Định danh: | http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31420 |
| ISBN: | 9783036511788 |
| Bộ sưu tập: | Kỹ thuật_TLNM_SACH |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| SA9731_1_Fundamentals and Recent Advances_Cover.pdf Giới hạn truy cập | Cover | 264.16 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_2_Fundamentals and Recent Advances_Contents.pdf Giới hạn truy cập | Contents | 86.91 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_3_Fundamentals and Recent Advances_Article 1.pdf Giới hạn truy cập | Electrochemical Deposition of Copper on Epitaxial Graphene | 2.52 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_4_Fundamentals and Recent Advances__Article 2.pdf Giới hạn truy cập | Raman 2D Peak Line Shape in Epigraphene on SiC | 1.05 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_5_Fundamentals and Recent Advances__Article 3.pdf Giới hạn truy cập | Atomic Layer Deposition of High-k Insulators on Epitaxial Graphene: A Review | 2.62 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_6_Fundamentals and Recent Advances_Article 4.pdf Giới hạn truy cập | Structural Modifications in Epitaxial Graphene on SiC Following 10 keV Nitrogen Ion Implantation | 2.27 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_7_Fundamentals and Recent Advances_Article 5.pdf Giới hạn truy cập | Electronic and Transport Properties of Epitaxial Graphene on SiC and 3C-SiC/Si: A Review | 6.98 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_8_Fundamentals and Recent Advances_Article 6.pdf Giới hạn truy cập | Review Twistronics in Graphene, from Transfer Assembly to Epitaxy | 4.14 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_9_Fundamentals and Recent Advances_Article 7.pdf Giới hạn truy cập | Critical View on Buffer Layer Formation and Monolayer Graphene Properties in High-Temperature Sublimation | 1.34 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_10_Fundamentals and Recent Advances_Article 8.pdf Giới hạn truy cập | Critical View on Buffer Layer Formation and Monolayer Graphene Properties in High-Temperature Sublimation | 1.34 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_11_Fundamentals and Recent Advances_Article 9.pdf Giới hạn truy cập | Critical View on Buffer Layer Formation and Monolayer Graphene Properties in High-Temperature Sublimation | 1.36 MB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
| SA9731_12_Fundamentals and Recent Advances_Article 10.pdf Giới hạn truy cập | Special Issue “Fundamentals and Recent Advances in Epitaxial Graphene on SiC” | 179.79 kB | Adobe PDF | Xem/Tải về Yêu cầu tài liệu |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.