Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: http://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31889
Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
Trường DCGiá trị Ngôn ngữ
dc.contributor.authorGarcía-Loureiro, Antonio-
dc.contributor.authorKalna, Karol-
dc.contributor.authorSeoane, Natalia-
dc.date.accessioned2021-06-26T01:32:19Z-
dc.date.available2021-06-26T01:32:19Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.isbn978-3-03936-209-7-
dc.identifier.otherSA9876-
dc.identifier.urihttp://thuvienso.vanlanguni.edu.vn/handle/Vanlang_TV/31889-
dc.description96 p. : ill. ; 17.8 Mb https://doi.org/10.3390/books978-3-03936-209-7 CC BY-NC-NDvi
dc.description.abstractThis book is a printed edition of the Special Issue Nanowire Field-Effect Transistor (FET) that was published in Materials.vi
dc.language.isoenvi
dc.publisherMDPIvi
dc.subjectNanowire Field Effect Transistorvi
dc.subjectNanostructure Devicesvi
dc.titleNanowire Field-Effect Transistor (FET)vi
dc.typeBookvi
Bộ sưu tập: Kỹ thuật_TLNM_SACH

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
SA9876_1_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Cover.pdf
  Giới hạn truy cập
Cover665.56 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_2_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Front matter.pdf
  Giới hạn truy cập
Front matter532.92 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_3_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Contents.pdf
  Giới hạn truy cập
Contents515.18 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_4_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_About the Editors.pdf
  Giới hạn truy cập
About the Editors500.34 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_5_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 1.pdf
  Giới hạn truy cập
Special Issue: Nanowire Field-Effect Transistor (FET)552.22 kBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_6_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 2.pdf
  Giới hạn truy cập
Effects of Applied Voltages on the Charge Transport Properties in a ZnO Nanowire Field Effect Transistor3.45 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_7_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 3.pdf
  Giới hạn truy cập
A Multi-Method Simulation Toolbox to Study Performance and Variability of Nanowire FETs3.09 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_8_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 4.pdf
  Giới hạn truy cập
Characteristic Fluctuations of Dynamic Power Delay Induced by Random Nanosized Titanium Nitride Grains and the Aspect Ratio Effect of Gate-All-Around Nanowire CMOS Devices and Circuits5.17 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_9_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 5.pdf
  Giới hạn truy cập
Simulation of the Impact of Ionized Impurity Scattering on the Total Mobility in Si Nanowire Transistors3.61 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_10_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 6.pdf
  Giới hạn truy cập
InGaAs FinFETs Directly Integrated on Silicon by Selective Growth in Oxide Cavities2.23 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_11_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 7.pdf
  Giới hạn truy cập
Physics of Discrete Impurities under the Framework of Device Simulations for Nanostructure Devices2.09 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu
SA9876_12_Nanowire_FieldEffect_Transistor_FET_Article 8.pdf
  Giới hạn truy cập
Quantum Treatment of Inelastic Interactions for the Modeling of Nanowire Field-Effect Transistors1.15 MBAdobe PDFXem/Tải về  Yêu cầu tài liệu


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.